包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS0D8N02P1ET1G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：52nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：365A

类型：MOSFET

导通电阻：680μΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR9014PBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：25W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Bulk

连续漏极电流：5.1A

类型：MOSFET

导通电阻：500mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：554，"11+"：100，"13+"：211，"MI+"：350}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMC15N06

工作温度：-55℃~+150℃

功率：35W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：11.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：15A

类型：MOSFET

导通电阻：75mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTTFS5D1N06HLTAG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：78A

类型：MOSFET

导通电阻：5.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.3nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：540mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS0D8N02P1ET1G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：52nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：365A

类型：MOSFET

导通电阻：680μΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.3nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：540mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：8926，"22+"：38958}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：170mA

类型：MOSFET

导通电阻：10Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR9014PBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：25W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Bulk

连续漏极电流：5.1A

类型：MOSFET

导通电阻：500mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTTFS5D1N06HLTAG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：78A

类型：MOSFET

导通电阻：5.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1