包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFU014PBF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：25W€2.5W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：11nC@10V

包装方式：管件

输入电容：300pF@25V

连续漏极电流：7.7A

类型：1个N沟道

导通电阻：200mΩ@4.6A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.77nF@30V

连续漏极电流：40.4A€165A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.77nF@30V

连续漏极电流：40.4A€165A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.77nF@30V

连续漏极电流：40.4A€165A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR9014PBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：25W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Bulk

连续漏极电流：5.1A

类型：MOSFET

导通电阻：500mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.77nF@30V

连续漏极电流：40.4A€165A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.77nF@30V

连续漏极电流：40.4A€165A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.77nF@30V

连续漏极电流：40.4A€165A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.77nF@30V

连续漏极电流：40.4A€165A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.77nF@30V

连续漏极电流：40.4A€165A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.77nF@30V

连续漏极电流：40.4A€165A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.77nF@30V

连续漏极电流：40.4A€165A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR9014PBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：25W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Bulk

连续漏极电流：5.1A

类型：MOSFET

导通电阻：500mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR9014PBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：25W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Bulk

连续漏极电流：5.1A

类型：MOSFET

导通电阻：500mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

导通电阻：4mΩ

包装方式：Reel

阈值电压：2V

栅极电荷：44nC

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：90.6A

ECCN：EAR99

功率：65.7W

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

漏源电压：60V

栅极电荷：83nC@10V

功率：6.25W€104W

输入电容：3.77nF@30V

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：40.4A€165A

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.77nF@30V

连续漏极电流：40.4A€165A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.75mΩ@20A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W€22.3W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.235nF@30V

连续漏极电流：15.8A€39.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.2mΩ@10A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W€22.3W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.235nF@30V

连续漏极电流：15.8A€39.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.2mΩ@10A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002-T1-E3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：200mW

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：115mA

类型：1个N沟道

导通电阻：7.5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W€22.3W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.235nF@30V

连续漏极电流：15.8A€39.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.2mΩ@10A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W€22.3W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.235nF@30V

连续漏极电流：15.8A€39.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.2mΩ@10A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W€22.3W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.235nF@30V

连续漏极电流：15.8A€39.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.2mΩ@10A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1