品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5547,"21+":368,"22+":2450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:9A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660DC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€78W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.17nF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":198309,"23+":8000,"24+":8000,"MI+":16000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@15V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC654P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC654P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@15V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2573,"21+":974,"22+":8117,"23+":21000,"MI+":5270}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660DC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€78W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.17nF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660DC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€78W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.17nF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@15V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8880
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@15V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,11.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8880
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@15V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@10V,11.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1200,"21+":1650,"22+":2489,"24+":549}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: