品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ260DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.1nC€13.3nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24.7A€24.6A
类型:MOSFET
导通电阻:24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08YA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:152W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.32nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08YA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:152W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.32nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ260DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.1nC€13.3nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24.7A€24.6A
类型:MOSFET
导通电阻:24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC004N08MC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W€127W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.98nF@40V
连续漏极电流:86A€136A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC004N08MC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W€127W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.98nF@40V
连续漏极电流:86A€136A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR588DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:59.5W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:59.5A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR588DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:59.5W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:59.5A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR588DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:59.5W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:59.5A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6036}
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0602LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:1.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:7.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08YA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:152W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.32nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC004N08MC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W€127W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.98nF@40V
连续漏极电流:86A€136A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC004N08MC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W€127W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.98nF@40V
连续漏极电流:86A€136A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC004N08MC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W€127W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.98nF@40V
连续漏极电流:86A€136A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: