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    ECCN: EAR99
    类型: 1个P沟道
    当前匹配商品:700+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU60P04-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU60P04-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU60P04-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:110W

    阈值电压:2.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:97nC@10V

    输入电容:5.235nF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G12P10TE 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G12P10TE 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G12P10TE

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:44.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:170mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG330P 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":30040}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG330P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:477pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订21个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订21个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG30P03-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG30P03-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG30P03-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:32W

    阈值电压:2.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.05nF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA291P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1nF@10V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP3R7-12QUJ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W€50W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.5nF@6V

    连续漏极电流:98.6A€18.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA291P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA291P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1nF@10V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG30P03-TP 起订2000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG30P03-TP 起订2000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG30P03-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:32W

    阈值电压:2.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.05nF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC654P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC654P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6576

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.044nF@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@4.5V,11A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5411_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5411_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5411_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.556nF@15V

    连续漏极电流:45A€10A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6576

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.044nF@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@4.5V,11A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6637

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€57W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.37nF@20V

    连续漏极电流:13A€55A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.6mΩ@10V,14A

    漏源电压:35V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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