采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@4.5V，400mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2195，"21+"：19939，"22+"：11319，"MI+"：2953}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：460mA
漏源电压：25V
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：63pF@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1873，"18+"：558，"19+"：1378，"20+"：2195，"21+"：19939，"22+"：11319，"MI+"：2953}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：63pF@10V
连续漏极电流：460mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N沟道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@10nA
工作温度：-55℃~+150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：200μA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：460mA
漏源电压：25V
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：63pF@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV304P
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：460mA
漏源电压：25V
导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：63pF@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
