品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT60M75L2LLG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:893W
阈值电压:5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8.93nF@25V
连续漏极电流:73A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@36.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT60GF120JRDQ3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:7.08nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th)):3V@15V,100A
集电极截止电流(Ices):1.2kV
类型:NPT(非穿通型)
工作温度:-55℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT60M75L2LLG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:893W
阈值电压:5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8.93nF@25V
连续漏极电流:73A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@36.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT60GF120JRDQ3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:7.08nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th)):3V@15V,100A
集电极截止电流(Ices):1.2kV
类型:NPT(非穿通型)
工作温度:-55℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: