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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，2.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，2.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，2.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：78nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：78nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9220TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，2.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2145
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：73mΩ@10V，2.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2145
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：73mΩ@10V，2.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2145
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：73mΩ@10V，2.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：340pF@25V
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，2.2A
漏源电压：200V
功率：2.5W€42W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
