销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13.5nC@10V
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13.5nC@10V
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:395pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP50NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):46psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFH13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:395pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP50NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP50NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.06nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.06nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.06nF@100V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10V,9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,5.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.1pF@100V
导通电阻:420mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.1pF@100V
导通电阻:420mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€78W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.1pF@100V
导通电阻:420mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
功率:110W
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:580pF@100V
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,5.5A
栅极电荷:17nC@10V
连续漏极电流:11A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW24N60M2
导通电阻:190mΩ@9A,10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
功率:150W
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: