采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：759}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
