采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LDT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：670mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P03D3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.805nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：207pF@15V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P03S2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：1.786nF@4.5V
连续漏极电流：9A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G100N03D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：5.595nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：659pF@50V
导通电阻：2.5mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN018-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：10.9W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC150N03A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.498nF@15V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3071LFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.5nC@10V
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9418_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：35nC@4.5V
输入电容：4.305nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4mΩ@10V，18A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€12.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.418nF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9407_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：516pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
