品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS178LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:28.5nC@10V
输入电容:1.135nF@35V
连续漏极电流:13.9A€45.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW€510mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@10V
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA€340mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS178LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:28.5nC@10V
输入电容:1.135nF@35V
连续漏极电流:13.9A€45.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W€3.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.33nF@50V
连续漏极电流:24.7A€7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W€3.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.33nF@50V
连续漏极电流:24.7A€7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17.9W€3.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A€10.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW€510mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@10V
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA€340mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17.9W€3.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A€10.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS178LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:28.5nC@10V
输入电容:1.135nF@35V
连续漏极电流:13.9A€45.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS178LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:28.5nC@10V
输入电容:1.135nF@35V
连续漏极电流:13.9A€45.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W€3.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.33nF@50V
连续漏极电流:24.7A€7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,3.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: