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    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:3.05nF@60V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@60V

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12T 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12T 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

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    栅极电荷:50nC@10V

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    连续漏极电流:70A

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    反向传输电容:22pF@50V

    导通电阻:8mΩ@10V,35A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:3.05nF@60V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@60V

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:3.05nF@60V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@60V

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

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    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

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    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12T 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12T 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:3.05nF@60V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@50V

    导通电阻:8mΩ@10V,35A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

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    栅极电荷:83nC@10V

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    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

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    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

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    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12M 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12M 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12M

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:3.05nF@60V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@35A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:3.05nF@60V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@60V

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB66613L 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB66613L 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB66613L

    栅极电荷:110nC@10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:120A€44.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    阈值电压:3.5V@250μA

    输入电容:5.3nF@30V

    功率:260W€8.3W

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB66613L 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB66613L 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB66613L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260W€8.3W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:5.3nF@30V

    连续漏极电流:120A€44.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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