品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G29
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12.5nC@10V
输入电容:1.151nF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV55UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:352pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV55UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:352pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€50W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.5nF@6V
连续漏极电流:98.6A€18.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV55UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:352pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.761nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV55UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:352pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.761nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV55UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:352pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.761nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB10XNX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.761nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP3R7-12QUJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€50W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:110nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.5nF@6V
连续漏极电流:98.6A€18.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:3.7mΩ@18.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: