采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
功率：350mW
输入电容：44.8pF@15V
连续漏极电流：440mA
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：600pC@4.5V
阈值电压：1.2V@250μA
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：21+
规格型号(MPN)：DMN32D0LFB4-7B
功率：350mW
输入电容：44.8pF@15V
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：440mA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：600pC@4.5V
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
包装清单：商品主体 * 1
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