采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.3nC@5V
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.3nC@5V
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
输入电容：48pF@5V
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
阈值电压：1.5V@100μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.23nC@10V
功率：430mW
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.3nC@5V
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
