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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：7.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
栅极电荷：7nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：7.7A
输入电容：393pF@15V
导通电阻：20mΩ@10V，9A
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LFDB-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
栅极电荷：7nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：7.7A
输入电容：393pF@15V
导通电阻：20mΩ@10V，9A
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
