销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:1个P沟道
导通电阻:14Ω@10V,200mA
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:75mA
类型:1个P沟道
导通电阻:20Ω@10V,150mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:50pF@18V
连续漏极电流:160mA
类型:1个P沟道
导通电阻:14Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:35mA
类型:1个P沟道
导通电阻:80Ω@10V,50A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:90mA
类型:1个P沟道
导通电阻:14Ω@10V,200mA
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:75mA
类型:1个P沟道
导通电阻:20Ω@10V,150mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:75mA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:20Ω@10V,150mA
功率:330mW
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2106GTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:5Ω@10V,500mA
类型:1个P沟道
漏源电压:60V
输入电容:100pF@18V
功率:2W
阈值电压:3.5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2106GTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:450mA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:5Ω@10V,500mA
类型:1个P沟道
漏源电压:60V
输入电容:100pF@18V
功率:2W
阈值电压:3.5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: