包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：26nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：26nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：26nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：26nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：GS66516B-MR

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：GS66516B-MR

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：GS66516B-MR

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：GS61004B-MR

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：3.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：22mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：GS61004B-MR

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：3.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：22mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：GS66516B-MR

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.2nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：GS61004B-MR

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：3.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：22mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1