采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：890pC@4.5V
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2个N沟道
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500nC@4.5V
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500nC@4.5V
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：890pC@4.5V
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2个N沟道
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500nC@4.5V
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：400mW
栅极电荷：500nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：900mA
漏源电压：20V
导通电阻：600mΩ@4.5V，200mA
输入电容：37pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
