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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2329DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
输入电容：2.712nF@10V
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UVT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.6nC@8V
输入电容：2.426nF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250μA
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：1个P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250μA
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：1个P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.6nC@8V
输入电容：2.426nF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
