包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR9014PBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：25W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Bulk

连续漏极电流：5.1A

类型：MOSFET

导通电阻：500mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB11N80E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

栅极电荷：88nC

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：440mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.3nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：540mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.3nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：540mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：1.27Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1