品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@5V
输入电容:165pF@5V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:180mΩ@10V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT060N04T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1.301nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:108A€30A
类型:2个N沟道
导通电阻:4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT060N04T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1.301nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: