采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDEQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：850mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.201nF@20V
连续漏极电流：8.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDEQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：850mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.201nF@20V
连续漏极电流：8.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G70N04T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：4.01nF@20V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4719G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：42.2nC@Vgs=10V
输入电容：2.96nF@Vds=20V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
反向传输电容：310pF@Vds=20V
导通电阻：14mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4719G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：42.2nC@Vgs=10V
输入电容：2.96nF@Vds=20V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
反向传输电容：310pF@Vds=20V
导通电阻：14mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G70N04T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：4.01nF@20V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
