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    行业应用: 汽车
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:19A€40A

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    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

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    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

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    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    谷峰 Mosfet场效应管 GT088N06T 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT088N06T 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT088N06T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:75W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

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    连续漏极电流:60A

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    导通电阻:8mΩ

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    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 GT088N06T 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT088N06T 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT088N06T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:75W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.62nF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ

    漏源电压:60V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDEQ-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDEQ-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDEQ-7

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    功率:850mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:25.3nC@10V

    输入电容:1.201nF@20V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

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    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDEQ-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDEQ-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDEQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:850mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:25.3nC@10V

    输入电容:1.201nF@20V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

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    谷峰 Mosfet场效应管 G70N04T 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G70N04T 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G70N04T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:4.01nF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订18个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订18个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06S 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06S 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:54pF@25V

    导通电阻:8.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT088N06T 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT088N06T 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT088N06T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:75W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.62nF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G06N06S 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G06N06S 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G06N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:1.6nF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    输入电容:680pF@15V

    栅极电荷:19nC@10V

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.4V@250μA

    功率:3.8W€17W

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:19A€40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    输入电容:680pF@15V

    栅极电荷:19nC@10V

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.4V@250μA

    功率:3.8W€17W

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:19A€40A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT3520J 起订67个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT3520J 起订67个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT3520J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    输入电容:564pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:66pF@15V

    导通电阻:13mΩ@10V,8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT3520J 起订68个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT3520J 起订68个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT3520J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    输入电容:564pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:66pF@15V

    导通电阻:13mΩ@10V,8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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