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品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3407A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：572pF@0V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@0V
导通电阻：55mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3407A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：572pF@0V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@0V
导通电阻：55mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3407A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：572pF@0V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@0V
导通电阻：55mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4719G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：42.2nC@Vgs=10V
输入电容：2.96nF@Vds=20V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
反向传输电容：310pF@Vds=20V
导通电阻：14mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4719G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：42.2nC@Vgs=10V
输入电容：2.96nF@Vds=20V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
反向传输电容：310pF@Vds=20V
导通电阻：14mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，500mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
