品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS76LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:33.5nC@4.5V
输入电容:2.78nF@35V
连续漏极电流:67.4A€19.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,4.5V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:16.5mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:16.5mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:16.5mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4435
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:16.5mΩ@10V,8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:24.5nC@10V
输入电容:1.253nF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
反向传输电容:158pF@15V
导通电阻:17mΩ@10V,6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS76LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:33.5nC@4.5V
输入电容:2.78nF@35V
连续漏极电流:67.4A€19.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,4.5V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ4503A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:5.2nC@10V
输入电容:255pF@15V
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:35pF@15V
导通电阻:30mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS76LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:33.5nC@4.5V
输入电容:2.78nF@35V
连续漏极电流:67.4A€19.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,4.5V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: