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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订58个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订58个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS76LDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS76LDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS76LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:33.5nC@4.5V

    输入电容:2.78nF@35V

    连续漏极电流:67.4A€19.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.25mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM4435 起订100个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM4435 起订100个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM4435

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    输入电容:1.25nF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:90pF@15V

    导通电阻:16.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM4435 起订26个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM4435 起订26个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM4435

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    输入电容:1.25nF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:90pF@15V

    导通电阻:16.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM4435 起订1200个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM4435 起订1200个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM4435

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    输入电容:1.25nF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:90pF@15V

    导通电阻:16.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM4435 起订30个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM4435 起订30个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM4435

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    输入电容:1.25nF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:90pF@15V

    导通电阻:16.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G12P03D3 起订37个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G12P03D3 起订37个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G12P03D3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    输入电容:1.253nF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:158pF@15V

    导通电阻:17mΩ@10V,6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS76LDN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS76LDN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS76LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:33.5nC@4.5V

    输入电容:2.78nF@35V

    连续漏极电流:67.4A€19.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.25mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4503A-TP 起订11个装
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4503A-TP 起订11个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ4503A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:5.2nC@10V

    输入电容:255pF@15V

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:35pF@15V

    导通电阻:30mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS76LDN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS76LDN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS76LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:33.5nC@4.5V

    输入电容:2.78nF@35V

    连续漏极电流:67.4A€19.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.25mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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