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    当前匹配商品:400+
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    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.66nF@25V

    连续漏极电流:36A€235A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT045N10M 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT045N10M 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT045N10M

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:101.6nC@10V

    输入电容:6.124nF@50V

    连续漏极电流:139A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:15pF@50V

    导通电阻:4.1mΩ@10V,20A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G7P03S 起订33个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G7P03S 起订33个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G7P03S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    输入电容:1.253nF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:158pF@15V

    导通电阻:16mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订45个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订45个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03D2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:873pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC653N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035 起订60个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035 起订60个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3035

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L 起订92个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L 起订92个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1002L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:413pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.66nF@25V

    连续漏极电流:36A€235A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订数15000个
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订数15000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035L 起订56个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035L 起订56个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3035L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC653N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL640A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:110W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1.705nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@5V,9A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ036NE2LSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ036NE2LSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:37W€2.1W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.2nF@12V

    连续漏极电流:40A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Sanyo Denki Mosfet场效应管 NTMFS4922NET1G 起订361个装
    Sanyo Denki Mosfet场效应管 NTMFS4922NET1G 起订361个装

    品牌:Sanyo Denki

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4922NET1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:69.44W€930mW

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76.5nC@10V

    输入电容:5.505nF@15V

    连续漏极电流:147A€17.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL640A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:110W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1.705nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@5V,9A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:400pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL640A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:110W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1.705nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@5V,9A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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