品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3569(STA4,X,M)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.5nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:180pF@25V
导通电阻:540mΩ@10V,5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G70P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:4.714nF@20V
连续漏极电流:70A
类型:1个P沟道
反向传输电容:456pF@20V
导通电阻:7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP16DP10LMXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€5W
阈值电压:2V@1.037mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.1nF@50V
连续漏极电流:2.1A€3.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@10V,2.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.855nF@15V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10V,14.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP16DP10LMXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€5W
阈值电压:2V@1.037mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.1nF@50V
连续漏极电流:2.1A€3.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@10V,2.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.48nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:750mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP16DP10LMXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€5W
阈值电压:2V@1.037mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.1nF@50V
连续漏极电流:2.1A€3.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@10V,2.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP16DP10LMXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€5W
阈值电压:2V@1.037mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.1nF@50V
连续漏极电流:2.1A€3.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@10V,2.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP16DP10LMXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W€5W
阈值电压:2V@1.037mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.1nF@50V
连续漏极电流:2.1A€3.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@10V,2.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.855nF@15V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10V,14.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT2514J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:170pF@10V
导通电阻:8mΩ@4.5V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.48nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:750mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G70P04K
阈值电压:1.4V@250μA
功率:156W
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
输入电容:4.714nF@20V
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:42nC@10V
反向传输电容:456pF@20V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,46A
功率:104W
栅极电荷:42nC@10V
漏源电压:120V
反向传输电容:5.8pF@60V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:3.365nF@60V
阈值电压:4V@260μA
连续漏极电流:93A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:7.2mΩ@10V,14.8A
漏源电压:30V
输入电容:2.855nF@15V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.3W€31W
栅极电荷:42nC@10V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:7.2mΩ@10V,14.8A
漏源电压:30V
输入电容:2.855nF@15V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.3W€31W
栅极电荷:42nC@10V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.4pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,5A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT2914J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.255nF@10V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:168pF@10V
导通电阻:8mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: