销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
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连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2335
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002WT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2335
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002WT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
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类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2335
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002WT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2335
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规格型号(MPN):2N7002WT1G
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2335
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规格型号(MPN):2N7002WT1G
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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生产批次:2335
规格型号(MPN):2N7002WT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:700pC@4.5V
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):2N7002WT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
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ECCN:EAR99
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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生产批次:2335
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包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:700pC@4.5V
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连续漏极电流:310mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
包装清单:商品主体 * 1
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