品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
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输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
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输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:2.309nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.312nF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:52mΩ@4.5V,2.4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W€2.5W
阈值电压:2.3V@49μA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.7nF@50V
连续漏极电流:79A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: