品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2个N沟道
导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2个N沟道
导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:46pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:2个N沟道
导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: