采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：270pF@25V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：1.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€15.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，7.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6Ω@10V，1A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS412DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€15.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，7.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10V，8.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.8W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，3.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6Ω@10V，1A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10V，8.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6Ω@10V，1A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€15.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，7.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：270pF@25V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：1.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：270pF@25V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：1.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1.4V@250μA
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：2.8W
连续漏极电流：3.9A
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：58mΩ@10V，3.1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
