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    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3S075CNTL1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:336mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8880 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8880 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8880

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@15V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@10V,11.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8880 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8880 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8880

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@15V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@10V,11.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3S075CNTL1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:336mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8880 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8880 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8880

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@15V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@10V,11.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订数15个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订数15个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3S075CNTL1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:336mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3S075CNTL1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:336mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3S075CNTL1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:336mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.25nF@40V

    连续漏极电流:10.2A€33.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3S075CNTL1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:336mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3S075CNTL1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:336mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3S075CNTL1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:336mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.25nF@40V

    连续漏极电流:10.2A€33.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3S075CNTL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3S075CNTL1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:336mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:190V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G40P03K 起订21个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G40P03K 起订21个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G40P03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:138W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJMF280N65E1_T0_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF280N65E1_T0_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF280N65E1_T0_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.04nF@400V

    连续漏极电流:13.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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