采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP13N60DM2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：3V
栅极电荷：19nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：11A
类型：MOSFET
导通电阻：365mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：2.5V@15V，5A
关断延迟时间：72ns
反向恢复时间：22ns
关断损耗：0.085mJ
开启延迟时间：17ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：19nC
导通损耗：0.055mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGB10NC60KDT4
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.5V@15V，5A
关断延迟时间：72ns
反向恢复时间：22ns
关断损耗：0.085mJ
开启延迟时间：17ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：19nC
导通损耗：0.055mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP13N60DM2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：3V
栅极电荷：19nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：11A
类型：MOSFET
导通电阻：365mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：2.5V@15V，5A
关断延迟时间：72ns
反向恢复时间：22ns
关断损耗：0.085mJ
开启延迟时间：17ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：19nC
导通损耗：0.055mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：2.5V@15V，5A
关断延迟时间：72ns
反向恢复时间：22ns
关断损耗：0.085mJ
开启延迟时间：17ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：19nC
导通损耗：0.055mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：2.5V@15V，5A
关断延迟时间：72ns
反向恢复时间：22ns
关断损耗：0.085mJ
开启延迟时间：17ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：19nC
导通损耗：0.055mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP13N60DM2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：3V
栅极电荷：19nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：11A
类型：MOSFET
导通电阻：365mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
