品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
阈值电压:900mV@250μA
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.2V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:9A
漏源电压:20V
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:620pF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: