品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NS
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
功率:130W
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.32nF@25V
反向传输电容:130pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NS
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
功率:130W
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.32nF@25V
反向传输电容:130pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP240
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
功率:130W
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.32nF@25V
反向传输电容:130pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: