采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：3.08nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：337W
阈值电压：5V@1.3mA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：4.075nF@400V
连续漏极电流：46A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@23A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4V@4.8mA
类型：1个N沟道
功率：305W
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：4.88nF@400V
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：49A
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4V@4.8mA
类型：1个N沟道
功率：305W
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：4.88nF@400V
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：49A
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3114G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：6.15nF@15V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF@15V
导通电阻：1.35mΩ@10V，85A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP20N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.08nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3114G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：6.15nF@15V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF@15V
导通电阻：1.35mΩ@10V，85A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3114G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：6.15nF@15V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF@15V
导通电阻：1.35mΩ@10V，85A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP20N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.08nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3114G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：6.15nF@15V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF@15V
导通电阻：1.35mΩ@10V，85A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3114G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：6.15nF@15V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF@15V
导通电阻：1.35mΩ@10V，85A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3114G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：6.15nF@15V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF@15V
导通电阻：1.35mΩ@10V，85A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
