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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN018-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：10.9W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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功率：10.9W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：7.5A€19.2A
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阈值电压：2.5V@250μA
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栅极电荷：10.8nC@10V
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功率：10.9W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
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输入电容：447pF@15V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：10.9W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PXN018-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：10.9W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：10.8nC@10V
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连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：447pF@15V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
功率：10.9W€1.7W
栅极电荷：10.8nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：10.9W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：PXN018-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：10.9W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN018-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：10.9W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：7.5A€19.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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