采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3471_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：650mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3471_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：650mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3471_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：650mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3471_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：650mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3471_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：650mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW2P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW2P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3471_R1_00001
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：8nC@10V
连续漏极电流：900mA
导通电阻：650mΩ@900mA，10V
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
输入电容：448pF@15V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3471_R1_00001
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：8nC@10V
连续漏极电流：900mA
导通电阻：650mΩ@900mA，10V
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
输入电容：448pF@15V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：190mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：190mΩ@10V，1.9A
功率：1W€2.3W
连续漏极电流：2.7A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：155pF@15V
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
