采购热线 400-661-9010
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTK2575LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：49pF@10V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@10V
导通电阻：249mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：1.2nC@4.5V
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：410mA
输入电容：43.2pF@15V
类型：1个P沟道
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
