品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:3.38nF@25V
连续漏极电流:61A
类型:1个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,30.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF40NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT700P08T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:1.639nF@40V
连续漏极电流:25A
类型:1个P沟道
导通电阻:58mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT700P08T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:1.639nF@40V
连续漏极电流:25A
类型:1个P沟道
导通电阻:58mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:3.38nF@25V
连续漏极电流:61A
类型:1个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,30.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:2.5nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:78pF@25V
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:3.38nF@25V
连续漏极电流:61A
类型:1个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,30.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF40NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:2.5nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:78pF@25V
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G65P06F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:6.477nF@25V
连续漏极电流:65A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:61A
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:3.38nF@25V
导通电阻:41mΩ@10V,30.5A
类型:1个N沟道
功率:417W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: