品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417mW
阈值电压:680mV@1mA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
输入电容:110pF@24V
连续漏极电流:470mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@4.5V,280mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:417mW
阈值电压:680mV@1mA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
输入电容:110pF@24V
连续漏极电流:470mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@4.5V,280mA
漏源电压:30V
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:417mW
阈值电压:680mV@1mA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
输入电容:110pF@24V
连续漏极电流:470mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@4.5V,280mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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