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    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:2.425nF@15V

    连续漏极电流:30A€25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:2.425nF@15V

    连续漏极电流:30A€25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJMP120N60EC_T0_00001 起订2个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMP120N60EC_T0_00001 起订2个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMP120N60EC_T0_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:235W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:1.96nF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:2.425nF@15V

    连续漏极电流:30A€25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:2.425nF@15V

    连续漏极电流:30A€25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:2.425nF@15V

    连续漏极电流:30A€25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:51nC@10V

    类型:1个N沟道

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:30A€25A

    输入电容:2.425nF@15V

    功率:3.6W€39W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:2.425nF@15V

    连续漏极电流:30A€25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3018SFV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3018SFV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3018SFV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.147nF@15V

    连续漏极电流:11A€35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA10DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:2.425nF@15V

    连续漏极电流:30A€25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF14N50 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF14N50 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF14N50

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.297nF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:380mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3018SFV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3018SFV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3018SFV-7

    导通电阻:12mΩ@11.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:2.147nF@15V

    栅极电荷:51nC@10V

    连续漏极电流:11A€35A

    功率:1W

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

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