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    栅极电荷: 25nC@10V
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    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.562nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L 起订13个装
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L 起订13个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.562nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G15N06K 起订26个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G15N06K 起订26个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G15N06K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:763pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:37pF@30V

    导通电阻:31mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,8.7A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,8.7A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,8.7A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,8.7A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,8.7A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL20N6F7 起订数1000个
    ST Mosfet场效应管 STL20N6F7 起订数1000个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W€78W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.6nF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,8.7A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,8.7A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,8.7A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,8.7A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,8.7A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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