采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW€510mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA€340mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW€510mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA€340mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：32pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：7pF@50V
导通电阻：5Ω@10V，0.2A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：32pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：7pF@50V
导通电阻：5Ω@10V，0.2A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW€510mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA€340mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW€510mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA€340mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：32pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：7pF@50V
导通电阻：5Ω@10V，0.2A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：32pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：7pF@50V
导通电阻：5Ω@10V，0.2A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：32pF@50V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：7pF@50V
导通电阻：5Ω@10V，0.2A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW€510mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA€340mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW€510mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA€340mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW€510mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA€340mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1926DL-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
栅极电荷：1.4nC@10V
漏源电压：30V
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道+1个P沟道
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：170mA
栅极电荷：1.4nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：20pF@30V
功率：325mW
导通电阻：4.5Ω@10V，170mA
漏源电压：60V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
