采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD15P06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：15A€4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：508pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC037N03L5ISATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：78A€20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC037N03L5ISATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：78A€20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS022N15MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：80.6W
阈值电压：4.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.315nF@75V
连续漏极电流：41.9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@75V
导通电阻：18.1mΩ@10V，18A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：508pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
