采购热线 400-661-9010
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI050N06D1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@10V，3.1A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G36N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：1.04nF@15V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
反向传输电容：136pF@15V
导通电阻：7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI050N06D1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI050N06D1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@10V，3.1A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI050N06D1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI050N06D1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.14W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：51mΩ@10V，12A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR220PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024ZTRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：57.5mΩ@10V，3.1A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.3V@10μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：398pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，6.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@10V，8A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@10V，8A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.14W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：51mΩ@10V，12A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.3V@10μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：398pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，6.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024ZTRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：57.5mΩ@10V，3.1A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024ZTRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：57.5mΩ@10V，3.1A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU220PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：4.3Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024ZTRPBF
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：14nC@10V
连续漏极电流：5.1A
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：55V
输入电容：340pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
导通电阻：57.5mΩ@10V，3.1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
