品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03D2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:873pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€3.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:18W€2.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€3.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A€3.9A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8Ω@10V,1.9A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:810pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G160N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.01nF@20V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:76pF@20V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G160N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.01nF@20V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:76pF@20V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:750pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:58mΩ@10V,5.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.419nF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: