品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:313W
阈值电压:4.1V@270μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:840pF@50V
连续漏极电流:180A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:313W
阈值电压:4.1V@270μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:840pF@50V
连续漏极电流:180A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:313W
阈值电压:4.1V@270μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:840pF@50V
连续漏极电流:180A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT60M75L2LLG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:893W
阈值电压:5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8.93nF@25V
连续漏极电流:73A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@36.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT60M75L2LLG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:893W
阈值电压:5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8.93nF@25V
连续漏极电流:73A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@36.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:6nF@15V
连续漏极电流:29A
类型:1个P沟道
导通电阻:5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:6nF@15V
连续漏极电流:29A
类型:1个P沟道
导通电阻:5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:6nF@15V
连续漏极电流:29A
类型:1个P沟道
导通电阻:5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:6nF@15V
连续漏极电流:29A
类型:1个P沟道
导通电阻:5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: