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    工作温度: -55℃~+150℃
    栅极电荷: 195nC@10V
    当前匹配商品:9
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订数25个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订数25个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订数50个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订数50个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT60M75L2LLG 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT60M75L2LLG 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT60M75L2LLG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:893W

    阈值电压:5V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8.93nF@25V

    连续漏极电流:73A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:75mΩ@36.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT60M75L2LLG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT60M75L2LLG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT60M75L2LLG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:893W

    阈值电压:5V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8.93nF@25V

    连续漏极电流:73A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:75mΩ@36.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:6nF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:6nF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:6nF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:6nF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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